IODINE ETCHING OF GAAS(1BAR1BAR1BAR)ARSENIC SURFACE STUDIED BY LEED, AES, AND MASS-SPECTROSCOPY

被引：29

作者：

JACOBI, K ^{[1
]}

STEINERT, G ^{[1
]}

RANKE, W ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK GESELL,FRITZ HABER INST,D-1000 BERLIN,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(76)90348-4

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：571 / 579

页数：9

共 6 条

[1] SURFACE STOICHIOMETRY AND STRUCTURE OF GAAS [J].

ARTHUR, JR .

CHO, AY .

[3] CRYSTAL HABITS OF GAAS AND GAP GROWN FROM VAPOR PHASE [J].

CROCKER, AJ .

JACOBI, K .

LANDER, JJ ;

MORRISON, J .

SILVESTRI, VJ ;

LYONS, VJ .