GAAS/(GA,AL)AS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS WITH BURIED OXYGEN-IMPLANTED ISOLATION LAYERS

被引：1

作者：

ASBECK, PM ^{[1
]}

MILLER, DL ^{[1
]}

ANDERSON, RJ ^{[1
]}

EISEN, FH ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT CORP,CTR MICROELECTR RES & DEV,THOUSAND OAKS,CA 91360

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21871

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1979 / 1979

页数：1