OHMIC CONTACTS TO SEMICONDUCTING DIAMOND

被引：59

作者：

MOAZED, KL ^{[1
]}

NGUYEN, R ^{[1
]}

ZEIDLER, JR ^{[1
]}

机构：

[1] USN, CTR OCEAN SYST, SAN DIEGO, CA 92152 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.740

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：350 / 351

页数：2

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共 4 条

[1] BAZHENOV VK, 1985, SOV PHYS SEMICOND+, V19, P829
[2] COLLINS AT, 1970, DIAMOND RES, P19
[3] CHARACTERIZATION OF CONDUCTING DIAMOND FILMS
FUJIMORI, N
IMAI, T
DOI, A
[J]. VACUUM, 1986, 36 (1-3) : 99 - 102
[4] HIGH-TEMPERATURE POINT-CONTACT TRANSISTORS AND SCHOTTKY DIODES FORMED ON SYNTHETIC BORON-DOPED DIAMOND
GEIS, MW
RATHMAN, DD
EHRLICH, DJ
MURPHY, RA
LINDLEY, WT
[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1987, 8 (08) : 341 - 343