EBIC CONTRAST THEORY OF DISLOCATIONS - INTRINSIC RECOMBINATION PROPERTIES - REPLY

被引：3

作者：

FARVACQUE, JL

SIEBER, B

机构：

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1990年 / 25卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:0199000250110110900

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1109 / 1111

页数：3

共 7 条

[1]

DONOLATO C, 1990, REV PHYS APPL, V25

FARVACQUE, JL ;

SIEBER, B .

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE, 1990, 25 (04) :353-359

[3] ABOUT THE DISLOCATION SCREENING CHARGE [J].

FERRE, D ;

DIALLO, A ;

FARVACQUE, JL .

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE, 1990, 25 (02) :177-182

[4] INTERPRETATION OF THE EBIC CONTRAST OF DISLOCATIONS IN SILICON [J].

PASEMANN, L ;

BLUMTRITT, H ;

GLEICHMANN, R .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1982, 70 (01) :197-209

[5]

READ WT, 1954, PHILOS MAG, V45, P775

[6]

READ WT, 1954, PHILOS MAG, V45, P1119

[7]

WILSHAW PR, 1985, I PHYS C SER, V76, P329