THE INFLUENCE OF ELECTRON-BEAM ENERGY ON DEFECT DENSITY IN MOS DEVICE QUALITY OXIDES

被引：1

作者：

BALASINSKI, A

JAKUBOWSKI, A

SWIT, A

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0042-207X(88)90571-4

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：1041 / 1043

页数：3

共 6 条

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