CHARACTERISTICS OF PLANAR DOPED FET STRUCTURES

被引：15

作者：

BOARD, K ^{[1
]}

CHANDRA, A ^{[1
]}

WOOD, CEC ^{[1
]}

JUDAPRAWIRA, S ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20374

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：6