IMPROVEMENT OF PLANAR GAAS DEVICES BY CONTROLLING PROPERTIES OF EPILAYER AND EPILAYER-SUBSTRATE INTERFACE

被引：1

作者：

KAUFMANN, LMF ^{[1
]}

HEIME, K ^{[1
]}

机构：

[1] TECH UNIV AACHEN,INST SEMICOND ELECTR,SONDERFORSCH BEREICH FESTKORPER ELECTR 56,D-5100 AACHEN,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.16S1.107

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：107 / 110

页数：4