CRITIQUE OF THE EMPIRICAL TIGHT-BINDING METHOD FOR SEMICONDUCTOR SURFACES AND INTERFACES

被引:19
作者
PANTELIDES, ST [1 ]
POLLMANN, J [1 ]
机构
[1] UNIV DORTMUND,INST PHYS,D-4600 DORTMUND 50,FED REP GER
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1979年 / 16卷 / 05期
关键词
D O I
10.1116/1.570198
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1349 / 1358
页数:10
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