A MODEL FOR THE SUBMICROMETER N-CHANNEL DEEP-DEPLETION SOS-MOSFET

被引：5

作者：

JERDONEK, RT ^{[1
]}

BANDY, WR ^{[1
]}

BIRNBAUM, J ^{[1
]}

机构：

[1] US DEPT DEF,FT MEAD,MD

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1980年 / 27卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20071

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1566 / 1570

页数：5

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共 13 条

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