PRODUCTION OF RADIATION DEFECTS IN SILICON AT DIFFERENT TEMPERATURES

被引：9

作者：

GLASER, E

GOTZ, G

WESCH, W

FREY, H

机构：

来源：

RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS | 1980年 / 48卷 / 1-4期

关键词：

D O I：

10.1080/00337578008209222

中图分类号：

TL [原子能技术]; O571 [原子核物理学];

学科分类号：

0827 ; 082701 ;

摘要：

引用

页码：19 / 24

页数：6

共 13 条

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