AVALANCHE MULTIPLICATION FACTORS IN GE AND SI ABRUPT JUNCTIONS

被引：12

作者：

SPIRITO, P ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV NAPLES,INST ELECT ENGN,NAPLES,ITALY

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1974.17900

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：226 / 231

页数：6

共 6 条

[1] IONIZATION RATES OF HOLES + ELECTRONS IN SILICON [J].

LEE, CA ;

KLEIMACK, JJ ;

BATDORF, RL ;

WIEGMANN, W ;

LOGAN, RA .

PHYSICAL REVIEW, 1964, 134 (3A) :A761-+

[2] AVALANCHE BREAKDOWN IN GERMANIUM [J].

MILLER, SL .

PHYSICAL REVIEW, 1955, 99 (04) :1234-1241

[3]

MOLL JL, 1970, IEEE T ELECTRON DEVI, VED17, P420

[4]

SPIRITO P, 1972, IEEE T ELECTRON DEV, VED19, P951

SZE, SM ;

GIBBONS, G .

VANOVERSTRAETEN, R ;

DEMAN, H .