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PERFORMANCE OF ROOM TEMPERATURE GAAS LASERS AT HIGH PULSE REPETITION RATES (50 KC/S)
被引:5
作者
:
DOUSMANIS, GC
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DOUSMANIS, GC
GROSS, HE
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GROSS, HE
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS
|
1966年
/ 54卷
/ 07期
关键词
:
D O I
:
10.1109/PROC.1966.4962
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:998 / +
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共 3 条
[1]
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THRESHOLD CURRENT IN GAAS LASERS ( EPITAXIAL HEAVIER DOPED UNITS FOR LOW THRESHOLD )4 TIMES 104 A/CM2 ) AT 300 DEGREES K 4.2 DEGREES TO 300 DEGREES K E/T )
[J].
DOUSMANIS, GC
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DOUSMANIS, GC
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STAEBLER, DL
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NELSON, H
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NELSON, H
.
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1964,
5
(09)
:174
-&
[2]
HIGH-EFFICIENCY INJECTION LASER AT ROOM TEMPERATURE
[J].
NELSON, H
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DOUSMANIS, GC
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PANKOVE, JI
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.
PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1964,
52
(11)
:1360
-+
[3]
NELSON H, 1963, RCA REV, V24, P603
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[1]
TEMPERATURE DEPENDENCE OF THRESHOLD CURRENT IN GAAS LASERS ( EPITAXIAL HEAVIER DOPED UNITS FOR LOW THRESHOLD )4 TIMES 104 A/CM2 ) AT 300 DEGREES K 4.2 DEGREES TO 300 DEGREES K E/T )
[J].
DOUSMANIS, GC
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NELSON, H
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APPLIED PHYSICS LETTERS,
1964,
5
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[2]
HIGH-EFFICIENCY INJECTION LASER AT ROOM TEMPERATURE
[J].
NELSON, H
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PANKOVE, JI
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PANKOVE, JI
.
PROCEEDINGS OF THE IEEE,
1964,
52
(11)
:1360
-+
[3]
NELSON H, 1963, RCA REV, V24, P603
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