SELECTIVE SILICON EPITAXY AND ORIENTATION DEPENDENCE OF GROWTH

被引：43

作者：

RAICHOUDHURY, P ^{[1
]}

SCHRODER, DK ^{[1
]}

机构：

[1] WESTINGHOUSE RES LABS, PITTSBURGH, PA 15253 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2403529

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：664 / 668

页数：5

共 7 条

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