MANY-BODY EFFECTS IN THE SI METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR INVERSION LAYER - SUBBAND STRUCTURE

被引:12
作者
NAKAMURA, K [1 ]
EZAWA, H [1 ]
WATANABE, K [1 ]
机构
[1] MEISEI UNIV,DEPT PHYS,HINO,TOKYO 191,JAPAN
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1980年 / 22卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.22.1892
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:1892 / 1904
页数:13
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