COMPUTER-SIMULATED EXPLOSION OF POLY-SILICIDE LINKS IN LASER-PROGRAMMABLE REDUNDANCY FOR VLSI MEMORY REPAIR

被引：10

作者：

CHLIPALA, JD

SCARFONE, LM

LU, CY

机构：

[1] AT&T BELL LABS,ALLENTOWN,PA 18103

[2] UNIV VERMONT,BURLINGTON,VT 05405

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.43663

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2433 / 2439

页数：7

共 6 条

[1]

ASPNES D, COMMUNICATION

LU, CY ;

CHLIPALA, JD ;

SCARFONE, LM .

[3] LASER ANNEALING UNDER THE OXIDE LAYERS IN SILICON [J].

NARAYAN, J .

Scarfone, L. M. ;

Chlipala, J. D. .

SMITH, RT ;

CHLIPALA, JD ;

BINDELS, JFM ;

NELSON, RG ;

FISCHER, FH ;

MANTZ, TF .

[6]

TURNER WD, 1977, ORNLCSDTM15 REP