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THIN SILICON DEVICE TECHNOLOGY
被引:7
作者
:
MASH, DH
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MASH, DH
HENSHALL, GD
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HENSHALL, GD
EALES, BA
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EALES, BA
机构
:
来源
:
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
|
1970年
/ 3卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0022-3727/3/8/308
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
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相关论文
共 2 条
[1]
PREPARATION OF THIN N-TYPE SILICON SPECIMENS FOR RADIATION DAMAGE STUDIES
HEMMENT, PLF
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机构:
United Kingdom Atomic Energy Authority, Aldermaston
HEMMENT, PLF
STEVENS, PRC
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机构:
United Kingdom Atomic Energy Authority, Aldermaston
STEVENS, PRC
[J].
JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS,
1969,
2
(01):
: 19
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UNIFORM + STABLE DE/DX P-N JUNCTION PARTICLE DETECTORS
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GIBSON, WM
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GIBSON, WM
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,
1964,
NS11
(03)
: 254
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[1]
PREPARATION OF THIN N-TYPE SILICON SPECIMENS FOR RADIATION DAMAGE STUDIES
HEMMENT, PLF
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机构:
United Kingdom Atomic Energy Authority, Aldermaston
HEMMENT, PLF
STEVENS, PRC
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机构:
United Kingdom Atomic Energy Authority, Aldermaston
STEVENS, PRC
[J].
JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS,
1969,
2
(01):
: 19
-
+
[2]
UNIFORM + STABLE DE/DX P-N JUNCTION PARTICLE DETECTORS
MADDEN, TC
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MADDEN, TC
GIBSON, WM
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GIBSON, WM
[J].
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,
1964,
NS11
(03)
: 254
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