学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审

GROWTH OF AU ON CLEAN AND CONTAMINATED GAAS(001) SURFACES

被引：25
作者：
VERMAAK, JS
SNYMAN, LW
AURET, FD
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1977年 / 42卷 / DEC期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(77)90185-3
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
引用
收藏
页码：132 / 135
页数：4
相关论文
共 3 条
[1]   STUDIES ON CHEMICALLY ETCHED SILICON, GALLIUM-ARSENIDE, AND GALLIUM-PHOSPHIDE SURFACES BY AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY [J].
ODA, T ;
SUGANO, T .
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1976, 15 (07) :1317-1327
[2]  
TAKEDA K, 1974, JPN J APPL PHYS, P589
[3]   AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY OF CONTAMINATED GALLIUM-ARSENIDE SURFACES [J].
UEBBING, JJ .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1970, 7 (01) :81-+
1