SHALLOW DONOR STATE PRODUCED BY PROTON BOMBARDMENT OF SILICON

被引：32

作者：

ZOHTA, Y

OHMURA, Y

KANAZAWA, M

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1971年 / 10卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.10.532

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：532 / &

相关论文

共 3 条

[1] COPELAND JA, 1969, IEEE T ELECTRON DEVI, VED16, P445
[2] GEBALLE TH, 1959, SEMICONDUCTORS, P340
[3] A NEW METHOD FOR DETERMINATION OF DEEP-LEVEL IMPURITY CENTERS IN SEMICONDUCTORS
ZOHTA, Y
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1970, 17 (07) : 284 - &