A NEW METHOD FOR DETERMINATION OF DEEP-LEVEL IMPURITY CENTERS IN SEMICONDUCTORS

被引：48

作者：

ZOHTA, Y

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1970年 / 17卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653403

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：284 / &

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