A NOTE ON THE ABILITY OF CVD POLYSILICON TO DEPOSIT NEARLY INACCESSIBLE AREAS OF IC TOPOLOGY

被引：1

作者：

HAM, WE

ABRAHAMS, MS

BUIOCCHI, CJ

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1981年 / 128卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2127695

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1623 / 1624

页数：2

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共 3 条

[1] CROSS-SECTIONAL SPECIMENS FOR TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY [J].

ABRAHAMS, MS ;

BUIOCCHI, CJ .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1974, 45 (08) :3315-3316

[2]

HAM WE, 1977, RCA REV, V38, P351

[3] EPITAXIAL DEPOSITION OF SILICON IN DEEP GROOVES [J].

SMELTZER, RK .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1975, 122 (12) :1666-1671