SPIN-DEPENDENT CONDUCTIVITY OF PHOSPHORUS-DOPED SILICON IN INTERMEDIATE CONCENTRATION REGION

被引：21

作者：

MORIGAKI, K ^{[1
]}

ONDA, M ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TOKYO,INST SOLID STATE PHYS,ROPPONGI 106,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.36.1049

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：1049 / 1057

页数：9