INTERPRETATION OF THE ISOMER-SHIFT OF INTERSTITIALLY IMPLANTED SN-119 IMPURITIES IN GROUP-IV SEMICONDUCTORS

被引:9
作者
ANTONCIK, E
机构
来源
HYPERFINE INTERACTIONS | 1980年 / 8卷 / 02期
关键词
D O I
10.1007/BF01026867
中图分类号
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学]; O56 [分子物理学、原子物理学];
学科分类号
070203 ; 070304 ; 081704 ; 1406 ;
摘要
引用
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