EFFECT OF STRESS ON GERMANIUM AND SILICON P-N JUNCTIONS .2. NON-EXHAUSTED CONDITION

被引：3

作者：

KANDA, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.7.1464

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1464 / &

共 11 条

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