EFFECTS OF POSTDEPOSITION ANNEALING TREATMENTS ON CHARGE TRAPPING IN CVDAL2O3 FILMS ON SI

被引：11

作者：

MEHTA, DA

BUTLER, SR

FEIGL, FJ

机构：

[1] WESTERN ELECT CO,ALLENTOWN,PA 18103

[2] LEHIGH UNIV,BETHLEHEM,PA 18015

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1973年 / 120卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2403349

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：1707 / 1714

页数：8

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共 13 条

[11] AN INVESTIGATION OF SURFACE STATES AT A SILICON SILICON OXIDE INTERFACE EMPLOYING METAL OXIDE SILICON DIODES [J].

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