FULLY BOOSTED 64K DYNAMIC RAM WITH AUTOMATIC AND SELF-REFRESH

被引：6

作者：

TANIGUCHI, M

YOSHIHARA, T

YAMADA, M

SHIMOTORI, K

NAKANO, T

GAMOU, Y

机构：

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1981年 / 16卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1981.1051628

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：492 / 498

页数：7

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共 11 条

[11] A 1-MU-M MO-POLY 64-KBIT MOS RAM [J].

YANAGAWA, F ;

KIUCHI, K ;

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TSUCHIYA, T ;

AMAZAWA, T ;

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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1980, 27 (08) :1602-1606