100-GHZ GUNN-DIODES FABRICATED BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：8

作者：

HAYDL, WH

SMITH, S

BOSCH, R

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 37卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.91985

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：556 / 557

页数：2

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1978, 49 (09) :4854-4861