MEMORY EFFECT OF GAAS THIN-FILM DIODE

被引：14

作者：

TAKAHASHI, K

MORIIZUMI, T

NAGASHIMA, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1660669

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3009 / +

页数：1

共 8 条

[1] PHYSICS OF INSTABILITIES IN AMORPHOUS SEMICONDUCTORS [J].

FRITZSCHE, H .

[2] SWITCHING PROPERTIES OF THIN NIO FILMS [J].

GIBBONS, JF ;

BEADLE, WE .

[3]

MIZUSHIMA Y, 1967, P IEEE, V53, P509

[4]

MIZUSHIMA Y, 1967, P IEEE, V53, P322

[5]

NAGASHIMA Y, 1968, P APPL PHYS M JAPAN, P128

[6]

RICHARDSON JR, 1967, AF196284976 CONTR

[7]

RICHARDSON JR, Patent No. 3480843

[8]

YAMASHITA A, 1967, J APPL PHYS, V38, P2539