INTERBAND ABSORPTION-EDGE IN PB1-XSNX TE EPITAXIAL LAYERS

被引：25

作者：

GENZOW, D ^{[1
]}

HERRMANN, KH ^{[1
]}

KOSTIAL, H ^{[1
]}

RECHENBERG, I ^{[1
]}

YUNOVICH, AE ^{[1
]}

机构：

[1] MV LOMONOSOV STATE UNIV,MOSCOW 117234,USSR

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH | 1978年 / 86卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssb.2220860156

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

[No abstract available]

引用

页码：K21 / K25

页数：5

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[1]

DRABKIN IA, 1972, FIZ TEKH POLUPROV, V6, P1323

[2]

GALESKI F, UNPUBLISHED

[3]

HERRMANN KH, 1977, P BERG HUTTENMANNISC, P51

[4]

OPYD WG, 1973, THESIS NAVAL POSTGRA

[5]

RAVICH YI, 1968, FIZ TEKH POLUPROV, V2, P1528

[6]

RECHENBERG I, 1977, P BERG HUTTENMANNISC, P1

[7]

SHOTOV AP, 1977, 3RD P INT C PHYS SMA

[8] ONE-PHOTON ABSORPTION IN DIRECT GAP SEMICONDUCTORS [J].

VAIDYANATHAN, A ;

MITRA, SS ;

NARDUCCI, LM ;

SHATAS, RA .