MEASUREMENT OF CARRIER-CONCENTRATION PROFILES IN EPITAXIAL INDIUM PHOSPHIDE

被引：38

作者：

CARDWELL, MJ ^{[1
]}

PEART, RF ^{[1
]}

机构：

[1] PLESSEY CO LTD,ALLEN CLARK RES CTR,TOWCESTER,NORTHAMPTONSHIR,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19730066

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：88 / 89

页数：2

共 8 条

BAXANDALL, PJ ;

COLLIVER, DJ ;

FRAY, AF .

JOURNAL OF PHYSICS E-SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 1971, 4 (03) :213-+

COLLIVER, DJ ;

GIBBS, SE ;

TAYLOR, BC .

[3]

EDRIDGE AL, 1971, P EUROPEAN MICROWAVE

[4]

HALES MC, 1970, I PHYSICS S GAAS REL, P50

[5] METAL-SEMICONDUCTOR SURFACE BARRIERS [J].

MEAD, CA .

[6] Simplified and advanced Theory of the Boundary Layer Rectifiers [J].

Schottky, W. .

ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK, 1942, 118 (9-10) :539-592

SCHWARTZ, B .

[8]

ZAININGER KH, 1966, RCA REV, V27, P341