A QUICK METHOD FOR THE DETERMINATION OF BULK GENERATION LIFETIME IN SEMICONDUCTORS FROM PULSED MOS CAPACITANCE MEASUREMENTS

被引：21

作者：

RABBANI, KS ^{[1
]}

LAMB, DR ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON, DEPT ELECTR, SOUTHAMPTON SO9 5NH, HAMPSHIRE, ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(81)90196-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：661 / 664

页数：4

共 5 条

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