ANALYSIS OF PULSED MOS CAPACITANCE MEASUREMENT

被引:35
作者
RABBANI, KS
LAMB, DR
机构
关键词
D O I
10.1016/0038-1101(78)90356-8
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:1171 / 1173
页数:3
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共 5 条
[1]  
Calzolari P. U., 1972, Alta Frequenza, V41, P848
[2]   EXACT MODELING OF TRANSIENT-RESPONSE OF AN MOS CAPACITOR [J].
COLLINS, TW ;
CHURCHILL, JN .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1975, ED22 (03) :90-101
[3]  
GROVE AS, 1967, PHYS TECHNOL S, P267
[5]  
ZERBST M, 1966, Z ANGEW PHYSIK, V22, P30