P-CHANNEL VERSUS N-CHANNEL IN MOS-ICS OF SUB-MICRON CHANNEL LENGTHS

被引：5

作者：

DANG, LM ^{[1
]}

IWAI, H ^{[1
]}

NISHI, Y ^{[1
]}

TAGUCHI, S ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CORP,DIV SEMICOND,SEMICOND ENGN LAB,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.7567/JJAPS.19S1.107

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：107 / 112

页数：6

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共 5 条

[1] DANG LM, 1979, IEEE J SOLID-ST CIRC, V14, P358
[2] HOT ELECTRON EFFECTS AND SATURATION VELOCITIES IN SILICON INVERSION LAYERS
FANG, FF
FOWLER, AB
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 41 (04) : 1825 - +
[3] KASAI R, 1979, T I ELECTRON COMMUN, P389
[4] DRIFT-VELOCITY SATURATION OF HOLES IN SI INVERSION LAYERS
SATO, T
TAKEISHI, Y
TANGO, H
OHNUMA, H
OKAMOTO, Y
[J]. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1971, 31 (06) : 1846 - &
[5] 1967, IEEE T ELECTRON DEVI, V14, P37