THE EFFECT OF IMPLANT SPECIES ON DEFECT ANNEAL KINETICS .2. ARSENIC AND GERMANIUM IMPLANTATION

被引：5

作者：

JONES, KS ^{[1
]}

PRUSSIN, S ^{[1
]}

WEBER, ER ^{[1
]}

机构：

[1] TRW,ELECTR GRP,REDONDO BEACH,CA 90278

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1987年 / 21卷 / 2-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90889-5

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：499 / 502

页数：4

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[1]

CEROFOLINI GF, SEMICONDUCTOR SILICO, P706

[2]

PENNYCOOK SJ, 1986, TRANSIENT THERMAL PR

[3] THE NATURE OF DEFECT LAYER FORMATION FOR ARSENIC ION-IMPLANTATION [J].

PRUSSIN, S ;

MARGOLESE, DI ;

TAUBER, RN .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1983, 54 (05) :2316-2326

[4]

PRUSSIN S, 1986, MATERIALS ISSUES SIL, V71

[5]

TRUMBORE FA, 1962, BELL SYST TECH J, V39, P210

[6]

1986, AUG INT C DEF SEM PA

[7]

[No title captured]