SURFACE STUDIES OF A(III)B(V) COMPOUND SEMICONDUCTORS BY ION CHANNELING

被引：57

作者：

DYGO, A

TUROS, A

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1989年 / 40卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.40.7704

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：7704 / 7713

页数：10

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共 34 条

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STENSGAARD, I ;

FELDMAN, LC ;

SILVERMAN, PJ .

[32] ELASTIC CONSTANTS OF GALLIUM PHOSPHIDE [J].

WEIL, R ;

GROVES, WO .

[33]

ZIEGLERJF, 1985, STOPPING RANGE IONS, P41

[34]

ZIEGLERJF, 1977, HELIUM STOPPING POWE