TECHNIQUE FOR MEASURING TRUE TIME-RESOLVED SPECTRA OF A SEMICONDUCTOR-LASER

被引：5

作者：

HENNING, I

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1982年 / 18卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820252

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：368 / 369

页数：2

相关论文

共 2 条

[1] LOW THRESHOLD CHANNELLED-SUBSTRATE BURIED CRESCENT INGAASP LASERS EMITTING AT 1.54 MU-M
DEVLIN, WJ
WALLING, RH
FIDDYMENT, PJ
HOBBS, RE
MURRELL, D
SPILLETT, RE
STEVENTON, AG
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1981, 17 (18) : 651 - 653
[2] DISPERSION EFFECTS USING A 1.52 MU-M LASER
FRISCH, DA
HENNING, ID
[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1982, 18 (03) : 129 - 130