A 4-MBIT CMOS EPROM

被引：7

作者：

OHTSUKA, N

TANAKA, S

MIYAMOTO, JI

SAITO, S

ATSUMI, S

IMAMIYA, KI

YOSHIKAWA, K

MATSUKAWA, N

MORI, S

ARAI, N

SHINAGAWA, T

KANEKO, Y

MATSUNAGA, JI

IIZUKA, T

机构：

[1] TOSHIBA CORP,DIV INTEGRATED CIRCUIT,KAWASAKI 210,JAPAN

[2] TOSHIBA MICROCOMP ENGN CORP,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1987年 / 22卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1987.1052798

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：669 / 675

页数：7

共 15 条

[1] FAST PROGRAMMABLE 256K READ ONLY MEMORY WITH ON-CHIP TEST CIRCUITS [J].

ATSUMI, S ;

TANAKA, S ;

SHINADA, K ;

YOSHIKAWA, K ;

MAKITA, K ;

NAGAKUBO, Y ;

KANZAKI, K .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1985, 20 (01) :422-427

[2]

COFFMAN T, 1987, FEB ISSCC, P72

[3] A LOW-POWER SUB-100 NS 256K-BIT DYNAMIC RAM [J].

FUJII, S ;

NATORI, K ;

FURUYAMA, T ;

SAITO, S ;

TODA, H ;

TANAKA, T ;

OZAWA, O .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1983, 18 (05) :441-446

[4]

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[5]

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[7]

MORI S, 1985, S VLSI TECHNOL, P16

[8]

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[9]

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[10]

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