VALENCE AND CONDUCTION BAND-EDGES FOR SIC AND BN

被引：5

作者：

AOURAG, H ^{[1
]}

KHELIFA, B ^{[1
]}

BELAIDI, A ^{[1
]}

机构：

[1] ECOLE NORMALE SUPER ENSEIGNEMENT TECH,DEPT PHYS,ORAN 31000,ALGERIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0254-0584(90)90117-S

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：531 / 535

页数：5

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共 4 条

AOURAG, H ;

BELAIDI, A ;

KHELIFA, B .

[2] POSITRON-ANNIHILATION IN SI AND GE [J].

AOURAG, H ;

BELAIDI, A ;

KOBAYASI, T ;

WEST, RN ;

KHELIFA, B .

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 1989, 155 (01) :191-200

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AOURAG H, 1990, IN PRESS PHYS LETT A

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