A 35-NS 128KX8 CMOS SRAM

被引：9

作者：

KOMATSU, T

TANIGUCHI, H

OKAZAKI, N

NISHIHARA, T

KAYAMA, S

HOSHI, N

AOYAMA, JI

SHIMADA, T

机构：

[1] Sony Corp, Atsugi, Jpn, Sony Corp, Atsugi, Jpn

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1987年 / 22卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1987.1052805

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

DATA STORAGE, DIGITAL

引用

页码：721 / 726

页数：6

共 7 条

[1]

HOSHI N, 1986, DEV P IEDM INT EL DE, P300

[2]

KOMATSU T, 1987, FEB ISSCC, P258

[3]

MINATO O, 1987, FEB ISSCC, P260

[4]

OHTANI T, 1987, FEB ISSCC, P264

[5]

OKAZAKI N, 1986, FEB ISSCC, P204

[6] A LOW-POWER 46 NS 256 KBIT CMOS STATIC RAM WITH DYNAMIC DOUBLE WORD LINE [J].

SAKURAI, T ;

MATSUNAGA, J ;

ISOBE, M ;

OHTANI, T ;

SAWADA, K ;

AONO, A ;

NOZAWA, H ;

IIZUKA, T ;

KOHYAMA, S .

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, 1984, 19 (05) :578-585

[7]

WADA T, 1987, FEB ISSCC, P262

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