AN ADVANCED PSA TECHNOLOGY FOR HIGH-SPEED BIPOLAR LSI

被引：22

作者：

NAKASHIBA, H ^{[1
]}

ISHIDA, I ^{[1
]}

AOMURA, K ^{[1
]}

NAKAMURA, T ^{[1
]}

机构：

[1] NEC TOSHIBA INFORMAT SYST INC,RES LABS,LAB 5,KAWASAKI,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1980.20045

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1390 / 1394

页数：5

共 8 条

[1]

AOMURA K, 1979, SEP ESSDERC TECH DIG, P78

[2]

ISHIDAI, 1979 INT EL DEV M DI, P336

KIMURA, K ;

TAKAHASHI, T ;

NAKAMURA, T ;

NAKASHIBA, H ;

YAMANE, H .

[4] NEW POLYSILICON PROCESS FOR A BIPOLAR DEVICE - PSA TECHNOLOGY [J].

OKADA, K ;

AOMURA, K ;

NAKAMURA, T ;

SHIBA, H .

[5]

OKADA K, 1978, FEB ISSCC, P100

[6]

PELTZER D, 1971, ELECTRONICS 0301, P52

[7]

SAKAI T, 1977, FEB IEEE INT SOL STA, P196

[8]

TAKAHASHI T, 1978, FEB ISSCC DIG TECH P, P208