INVESTIGATION OF ANOMALY IN RESPONSE OF SILICON SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTORS AT LOW TEMPERATURES

被引：18

作者：

DODGE, WR

DOMEN, SR

HIRSHFEL.AT

HOPPES, DD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1965.4323526

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：295 / &

共 3 条

[1] ANOMALY IN RESPONSE OF SEMICONDUCTOR DETECTORS [J].

DODGE, WR ;

DOMEN, SR ;

HOPPES, DD ;

HIRSHFELD, AT .

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