LIGHT-INDUCED STRUCTURAL-CHANGES IN AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS

被引：7

作者：

ABDULHALIM, I ^{[1
]}

BESERMAN, R ^{[1
]}

KHAIT, YL ^{[1
]}

机构：

[1] TECHNION ISRAEL INST TECHNOL,INST SOLID STATE PHYS,IL-32000 HAIFA,ISRAEL

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(87)90091-3

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：387 / 390

页数：4

共 7 条

BERMUDEZ, VM .

CARLSON, DE .

SOLAR ENERGY MATERIALS, 1982, 8 (1-3) :129-140

[3]

de Neufville JP, 1976, OPTICAL PROPERTIES S, P437

[4] LIGHT-INDUCED TRANSMITTANCE OSCILLATION IN GESE2 THIN-FILMS [J].

HAJTO, J ;

ZENTAI, G ;

SOMOGYI, IK .

KHAIT, YL ;

BESERMAN, R .

PHYSICAL REVIEW B, 1986, 33 (04) :2983-2986

[6]

KHAIT YL, 1983, PHYS REP, V99, P237

[7] RAMAN-SCATTERING PROPERTIES OF AMORPHOUS AS AND SB [J].

LANNIN, JS .

PHYSICAL REVIEW B, 1977, 15 (08) :3863-3871