EFFECT OF RADIATION AND SURFACE RECOMBINATION ON THE CHARACTERISTICS OF AN ION-IMPLANTED GAAS-MESFET

被引：3

作者：

CHAKRABARTI, P

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1991年 / 38卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/16.97431

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：2578 / 2578

页数：1

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共 1 条

[1] DEVICE MODEL FOR AN ION-IMPLANTED MESFET [J].

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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (03) :172-182