HIGH-PURITY MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWN ALGAAS

被引：6

作者：

CUNNINGHAM, JE

TSANG, WT

CHIU, TH

SCHUBERT, EF

DITZENBERGER, JA

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583787

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：761 / 761

页数：1

共 4 条

[1] MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF HIGH-PURITY ALGAAS [J].

CUNNINGHAM, JE ;

TSANG, WT ;

CHIU, TH ;

SCHUBERT, EF .

NIEUWENHUYS, BE ;

VANAARDE.OG ;

SACHTLER, WM .

[3] ALLOY BROADENING IN PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA OF ALXGA1-XAS [J].

SCHUBERT, EF ;

GOBEL, EO ;

HORIKOSHI, Y ;

PLOOG, K ;

QUEISSER, HJ .

[4] PHOTOLUMINESCENCE OF ALXGA1-XAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].

WICKS, G ;

WANG, WI ;

WOOD, CEC ;

EASTMAN, LF ;

RATHBUN, L .