SUB-BAND STRUCTURES OF N-CHANNEL INVERSION LAYERS ON III-V COMPOUNDS - POSSIBILITY OF GATE CONTROLLED GUNN-EFFECT

被引:43
作者
TAKADA, Y [1 ]
UEMURA, Y [1 ]
机构
[1] UNIV TOKYO,FAC SCI,DEPT PHYS,TOKYO 113,JAPAN
关键词
D O I
10.1143/JPSJ.43.139
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:139 / 150
页数:12
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