A CORRELATION BETWEEN THE ELECTRICAL BREAKDOWN OF SILICON BIPOLAR-TRANSISTORS AND IMPURITY PRECIPITATES

被引：19

作者：

AUGUSTUS, PD

KNIGHTS, J

KENNEDY, LW

机构：

来源：

JOURNAL OF MICROSCOPY-OXFORD | 1980年 / 118卷 / MAR期

关键词：

D O I：

10.1111/j.1365-2818.1980.tb00279.x

中图分类号：

TH742 [显微镜];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：315 / 320

页数：6

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共 4 条

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