SWITCHING AND MEMORY EFFECT IN A1-A12O3-CU2-XTE TUNNEL-JUNCTIONS

被引：6

作者：

ABDULLAYEV, AG

KARNAUKHOV, AM

MAMEDOV, NM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(81)90610-6

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 [工学];

摘要：

引用

页码：113 / 124

页数：12

共 16 条

[1]

ABDULLAYEV AG, 1977, IZV AKAD NAUK A FTMN, V4, P65

[2]

ABDULLAYEV GB, 1969, Patent No. 133270

[3]

ABDULLAYEV GB, 1976, 38 AK NAUK SSR PREPR

[4]

BARANOVA RV, 1970, ZH STRUKT KHIM, V11, P690

[5]

CHANG, LL ;

STILES, PJ ;

ESAKI, L .

[6]

FLANNERY WE, 1966, J APPL PHYS, V37, P1417

[7]

GUREVITCH YY, 1979, ZH EKSP TEOR FIZ, V72, P1845

[8]

HICKMOTT TW, 1976, SOLID STATE ELECTRON, V13, P1033

[9]

KALEC J, 1967, J APPL PHYS, V38, P1660

[10]

KU HY, 1964, J APPL PHYS, V35