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CURRENT SATURATION AND SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS OF GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
被引:69
作者
:
HOWER, PL
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WESTINGHOUSE ELECT CORP,RES & DEV CTR,PITTSBURGH,PA 15235
HOWER, PL
BECHTEL, NG
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WESTINGHOUSE ELECT CORP,RES & DEV CTR,PITTSBURGH,PA 15235
BECHTEL, NG
机构
:
[1]
WESTINGHOUSE ELECT CORP,RES & DEV CTR,PITTSBURGH,PA 15235
[2]
FAIRCHILD CAMERA & INSTR CORP,MICROWAVE & OPTOELECTR DIV,PALO ALTO,CA 94304
来源
:
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
|
1973年
/ ED20卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1109/T-ED.1973.17631
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:213 / 220
页数:8
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共 12 条
[11]
TURNER J, 1968, 1968 P S GAAS, P195
[12]
WILLARDSON RK, 1971, SEMICONDUCTORS SEM A, V7, P147
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