IMPROVED MOSFET SHORT-CHANNEL DEVICE USING GERMANIUM IMPLANTATION

被引：8

作者：

PFIESTER, JR ^{[1
]}

LAW, ME ^{[1
]}

DUTTON, RW ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD UNIV,INTEGRATED CIRCUITS LAB,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.738

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：343 / 346

页数：4

共 7 条

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