DRAGGING OF PRECIPITATE PARTICLES BY CLIMBING DISLOCATIONS IN SILICON

被引：18

作者：

NES, E

SOLBERG, JK

机构：

[1] CENT INST IND RES,OSLO,NORWAY

[2] UNIV OSLO,INST PHYS,BLINDERN,NORWAY

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1973年 / 44卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1661911

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：488 / 489

页数：2

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共 2 条

[1] PRECIPITATION IN HIGH-PURITY SILICON SINGLE CRYSTALS [J].

NES, E ;

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1971, 42 (09) :3562-&

[2] IN-SITU TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPE INVESTIGATION OF ANNEALING OF COPPER PRECIPITATE COLONIES IN SILICON [J].

NES, E ;

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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1973, 44 (01) :486-487