EXPERIMENTAL-CONDITION DEPENDENCE OF PHOSPHORUS DIFFUSIVITY IN SILICON

被引：19

作者：

GHOSTAGORE, RN

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW LETTERS | 1970年 / 25卷 / 13期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.25.856

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

收藏

页码：856 / +

页数：1

相关论文

共 5 条

[1] GHOSHTAGORE RN, TO BE PUBLISHED
[2] STRESS AT SI-SIO2 INTERFACE AND ITS RELATIONSHIP TO INTERFACE STATES
LANE, CH
[J]. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1968, ED15 (12) : 998 - +
[3] THE DIFFUSION OF PHOSPHORUS IN SILICON
MACKINTOSH, IM
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1962, 109 (05) : 392 - 401
[4] DIFFUSION OF PHOSPHORUS INTO SILICON
MAEKAWA, S
[J]. JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN, 1962, 17 (10) : 1592 - &
[5] OXIDATION, DEFECTS AND VACANCY DIFFUSION IN SILICON
SANDERS, IR
DOBSON, PS
[J]. PHILOSOPHICAL MAGAZINE, 1969, 20 (167): : 881 - &